Llançament del Centre global d'R+D de TSMC

Avui s'ha inaugurat el TSMC Global R+D Center i es va convidar Morris Chang, el fundador de l'esdeveniment TSMC per primera vegada després de la jubilació.Durant la seva intervenció, va expressar un agraïment especial al personal d'R+D de TSMC pels seus esforços, fent que la tecnologia de TSMC sigui líder i fins i tot convertint-se en un camp de batalla global.

Del comunicat de premsa oficial de TSMC s'assabenta que el centre d'R+D es convertirà en la nova llar de les institucions d'R+D de TSMC, inclosos els investigadors que desenvolupen TSMC 2 nm i una tecnologia d'avantguarda, així com els científics i acadèmics que duen a terme investigacions exploratòries en nous materials, estructures de transistors i altres camps.Com que el personal d'R+D s'ha traslladat al lloc de treball del nou edifici, l'empresa estarà totalment preparada per a més de 7.000 empleats el setembre de 2023.
El centre d'R+D de TSMC cobreix una superfície total de 300.000 metres quadrats i té aproximadament 42 camps de futbol estàndard.Està dissenyat com un edifici verd amb parets de vegetació, piscines de recollida d'aigua de pluja, finestres que maximitzen l'ús de la llum natural i plaques solars al terrat que poden generar 287 quilowatts d'electricitat en condicions de màxima eficiència, cosa que demostra el compromís de TSMC amb el desenvolupament sostenible.
El president de TSMC, Liu Deyin, va declarar a la cerimònia de llançament que entrar ara al centre de R+D desenvoluparà activament tecnologies que lideren la indústria mundial dels semiconductors, explorant tecnologies de fins a 2 nanòmetres o fins i tot 1,4 nanòmetres.Va afirmar que el centre d'R+D va començar a planificar fa més de 5 anys, amb moltes idees intel·ligents en disseny i construcció, incloses les cobertes ultra altes i l'espai de treball de plàstic.
Liu Deyin va destacar que l'aspecte més important del centre d'R+D no són els magnífics edificis, sinó la tradició d'R+D de TSMC.Va afirmar que l'equip d'R+D va desenvolupar la tecnologia de 90 nm quan van entrar a la fàbrica Wafer 12 el 2003, i després va entrar al centre d'R+D per desenvolupar la tecnologia de 2nm 20 anys més tard, que és 1/45 de 90 nm, el que significa que han de romandre al centre d'R+D. durant almenys 20 anys.
Liu Deyin va dir que el personal d'R+D del centre d'R+D donarà respostes a la mida dels components semiconductors d'aquí a 20 anys, quins materials utilitzar, com integrar la llum i l'àcid electrogènic, i com compartir operacions digitals quàntiques i esbrinar-ho. els mètodes de producció en massa.